T-SERS表面增强拉曼芯片

T-SERS表面增强拉曼芯片

自然界里的分子与细胞都有拉曼光谱指纹，但是其信号微弱;纳米表面增强基板可将拉曼光谱信号增强数百万倍以上的强度，解决光谱分析上的困难。

T-SERS表面增强拉曼基板使用新颖的纳米雕刻技术，藉由等离子体在近场金属纳米结构的交互作用，增强待测目标的拉曼信号。

气相沉积纳米雕刻技术PVD
纳米雕刻技术属于一种物理气相真空镀膜方式，使用电子枪系统将粒状固态金属靶材溶化并以磁场轰击转换成气态分子，在基板上成长纳米孔隙结构;借着调整基板载台的方向与镀膜参数可以控制纳米结构的尺寸与外型。此镀膜技术具有大面积、高均匀度之特点。T-SERS表面增强拉曼基板使用常见的金属材料(如金、银、铜等)，做为激发广波长范围的纳米等离子体结构，可有效的增强待测分子或细胞的拉曼信号。

主要特性

（1）适用于宽波段拉曼激发范围(532nm到785nm,  选配：1064nm)

（2）高灵敏度检测,一千万倍表面增强拉曼信号(大多数吸附表面待测分子)

（3）高表面结构均匀度与良好拉曼信号重复性

（4）品质和性价比

应用场景

（1）植物病毒检验

（2）食品安全

（3）农作物农药残留检验

（4）环境污染监测

（5）药物成份分析

（6）细胞、病毒侦测

（7）水污染侦测

（8）科学辨识

其他公司的产品对比，结构分布不均匀，

T-SERS具有非常致密均匀的纳米涂层。采用PVD纳米镀膜。

测试数据

以上图谱采用拉曼量测设备:Micro Raman System (Ramboss-500i)

以上图谱采用拉曼量测设备:Jobin Yvon (LabRAM HR)

详细参数